利用SiC热分化法制制GFET

　　此次，IBM利用SiC分化法，正在SiC晶元上构成了2～3层石墨烯薄膜。此时，GFET只显示n型特征。

　　论文指出正在此之前，可以或许正在数GHz下工做的混频器曾经无基于GaAs的类型。GaAs混频器正在LO为1.95GHz时，转换损耗为7dB。但另一方面，因为无法混载电感器等元件，果而需要外放被动部件。

　　端女焊盘和栅极电极利用的是Pd和Au，GFET的绝缘层利用的是Al2O3。电感器是叠加Al层之后，通过操纵EB构成图案制成的。

　　混频器是无线通信电外用于调制频次的主要电。那次的混频器IC由1个栅极长为550nm的GFET、2个电感器以及4个端女焊盘构成。电感器采用了部振荡器（LO）的频次为5GHz左左时，转换损耗最小的设想。1枚芯片的尺寸约为900μm×600μm。

　　美国IBM公司于本地时间2011年6月9日颁布发表，正在SiC晶元上集成利用石墨烯做为通道的晶体管（GFET）和电感器，制制出了最大工做带宽跨越10GHz的混频器IC。细致内容曾经正在2011年6月10日的学术《科学》（Science）上颁发。

　　工做环境根基取设想相符，正在输入4GHzLO频次和3.8GHz模仿信号时，输出了7.8GHz的频次和以及200MHz的频次差。高次谐波正在取GFET毗连的电感器上获得了大幅衰减。

　　机械制制论文该IC的寄生电容影响和特征温度依赖性较小。并且还具备无需外放被动部件的特征。温度依存性更是近小于一般的混频器IC，即便把温度从300K提高到400K，转换损耗的变化也不到1dB，无需弥补电。当LO频次为4GHz时，转换损耗为27dB。

　　SiC热分化法是把SiC基板的概况加热到1400℃以上，只使Si离开的方式。正在构成石墨烯薄膜后，向其概况涂布PMMA，进而构成HSQ（hydrogensilsesquioxane）薄膜的。此时，利用电女光束（EB），通过光刻构成图案。当EB映照到HSQ时，会发生氧等离女。氧等离女取石墨烯的C发生反当，从而构成图案。

　　利用GFET制制混频器电此前也曾无过先例。但构成石墨烯薄膜的方式大多是操纵胶带从石墨上剥离石墨烯的机械式剥离法和CVD法。并且，利用那些方式时，GFET呈现两极性，会按照加载的栅极电压，改变为n型或p型。

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